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A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP21D0UFD
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 18 Gate-Charge Characteristics
Package Outline Dimensions
A
A3
X1-DFN1212-3
Dim Min Max Typ
A1
A
0.47 0.53 0.50
D
e
A1
A3
0
-
0.05 0.02
- 0.13
b
b1
D
E
0.27 0.37 0.32
0.17 0.27 0.22
1.15 1.25 1.20
1.15 1.25 1.20
E
b1
(2x)
e
L
- - 0.80
0.25 0.35 0.30
All Dimensions in mm
L
b
Suggested Pad Layout
X
Y
Dimensions
C
X
Value (in mm)
0.80
0.42
Y2
Y1
(2x)
X1
(2x)
X1
Y
Y1
Y2
0.32
0.50
0.50
1.50
C
DMP21D0UFD
Datasheet Number: DS35364 Rev. 4 - 2
7 of 8
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
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DMP21D2UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:330mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:49pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 200mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:X2-DFN0806-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1
DMP21D5UFB4-7B 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP21D5UFD-7 功能描述:MOSFET P-Ch Enh Mode FET 1.0Ohm -20V -600mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2215L 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP2215L-7 功能描述:MOSFET P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2225L 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP2225L-7 功能描述:MOSFET P-Channel 1.08W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube